Infineon Technologies BSC014N03MS G

Numero de parte: BSC014N03MS G
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
0.36429/pcs
5,000 pcs
0.36429/pcs

Total:0.36429/pcs

Unit Price:

0.36429/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	BSC014N03MS G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	173nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / caja	8-PowerTDFN