ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BSC014N03MS G

Infineon Technologies BSC014N03MS G

部品番号
BSC014N03MS G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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量:
製品パラメータ
部品番号 BSC014N03MS G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 173nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 13000pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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