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| Número da peça | IRF634B_FP001 |
|---|---|
| Status da Parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 250V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8.1A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.05A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220AB |
| Pacote / Caso | TO-220-3 |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Em estoque: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Em estoque: 2361
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Em estoque: 0
