STMicroelectronics IRF630

Número da peça: IRF630
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

STMicroelectronics

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Preço de referência
(Em dólares americanos)
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10 pcs
0.48750/pcs
100 pcs
0.38540/pcs
500 pcs
0.29887/pcs
1,000 pcs
0.23595/pcs

Total:0.47000/pcs

Unit Price:

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Parâmetro do produto

Número da peça	IRF630
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura de operação	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220AB
Pacote / Caso	TO-220-3