STMicroelectronics IRF630

Numero de parte: IRF630
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

STMicroelectronics

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
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10 pcs
0.48750/pcs
100 pcs
0.38540/pcs
500 pcs
0.29887/pcs
1,000 pcs
0.23595/pcs

Total:0.47000/pcs

Unit Price:

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Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IRF630
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3