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| Artikelnummer | IRF634B_FP001 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.1A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 74W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.05A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Auf Lager: 2361
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Auf Lager: 0
