epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| Número da peça | EPC2107 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Power - Max | - |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 9-VFBGA |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 9-BGA (1.35x1.35) |
Fabricante: Advantech Corp
Descrição: EPC-T2285 BAREBONE,W/ I5-6500TE,
Em estoque: 0
Fabricante: Advantech Corp
Descrição: EPC-T2285 BAREBONE,W/ CPU G3900,
Em estoque: 0
Fabricante: LEMO
Descrição: CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB
Em estoque: 0
