Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array EPC2107

EPC EPC2107

Numero di parte
EPC2107
fabbricante
EPC
Descrizione
MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
EPC

EPC

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Numero di parte EPC2107
Stato parte Active
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 9-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 9-BGA (1.35x1.35)
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