Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays EPC2107

EPC EPC2107

Artikelnummer
EPC2107
Hersteller
EPC
Beschreibung
MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
EPC

EPC

epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.

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Produktparameter
Artikelnummer EPC2107
Teilstatus Active
FET Typ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 9-VFBGA
Lieferantengerätepaket 9-BGA (1.35x1.35)
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