Artikelnummer | EPC2107 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET-Eigenschaft | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 9-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 9-BGA (1.35x1.35) |
Hersteller: Advantech Corp
Beschreibung: EPC-T2285 BAREBONE,W/ I5-6500TE,
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Hersteller: Advantech Corp
Beschreibung: EPC-T2285 BAREBONE,W/ CPU G3900,
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Hersteller: LEMO
Beschreibung: CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB
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Hersteller: Altera
Beschreibung: IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8DIP
Auf Lager: 0
Hersteller: Altera
Beschreibung: IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8DIP
Auf Lager: 196
Hersteller: Altera
Beschreibung: IC CONFIG DEVICE 212KBIT 20PLCC
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Hersteller: Altera
Beschreibung: IC CONFIG DEVICE 212KBIT 20PLCC
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