Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single EPC2020ENG

EPC EPC2020ENG

Número da peça
EPC2020ENG
Fabricante
EPC
Descrição
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
EPC

EPC

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Número da peçaEPC2020ENG
Status da ParteDiscontinued at Digi-Key
Tipo FETN-Channel
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C60A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 30V
Vgs (Max)+6V, -4V
FET Feature-
Dissipação de energia (máx.)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2 mOhm @ 31A, 5V
Temperatura de operação-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedoresDie
Pacote / CasoDie
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