epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| Número da peça | EPC2010 |
|---|---|
| Status da Parte | Last Time Buy |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 200V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6A, 5V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
| Pacote / Caso | Die |
Fabricante: Advantech Corp
Descrição: EPC-T2285 BAREBONE,W/ I5-6500TE,
Em estoque: 0
Fabricante: Advantech Corp
Descrição: EPC-T2285 BAREBONE,W/ CPU G3900,
Em estoque: 0
Fabricante: LEMO
Descrição: CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB
Em estoque: 0
