epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| Osa numero | EPC2010 |
|---|---|
| Osan tila | Last Time Buy |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 200V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6A, 5V |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajan laitepaketti | Die |
| Pakkaus / kotelo | Die |
Valmistaja: Advantech Corp
Kuvaus: EPC-T2285 BAREBONE,W/ I5-6500TE,
Varastossa: 0
Valmistaja: Advantech Corp
Kuvaus: EPC-T2285 BAREBONE,W/ CPU G3900,
Varastossa: 0
Valmistaja: LEMO
Kuvaus: CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB
Varastossa: 0
