Diodes Incorporated DMT10H010LPS-13

Número da peça: DMT10H010LPS-13
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET N-CH 100V 9.4A
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Diodes Incorporated

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Parâmetro do produto

Número da peça	DMT10H010LPS-13
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	9.4A (Ta), 98A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	1.2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerDI5060-8
Pacote / Caso	8-PowerTDFN