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| 部品番号 | DMT10H010LPS-13 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.4A (Ta), 98A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 71nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3000pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.2W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 9.5 mOhm @ 13A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R
在庫あり: 10000
