transphorm is a global semiconductor company that develops gallium nitride (gan) fets for high-voltage power conversion applications.
| 부품 번호 | TPH3207WS |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 650V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.65V @ 700µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2197pF @ 400V |
| Vgs (최대) | ±18V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 178W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 32A, 8V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-247 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
