transphorm is a global semiconductor company that develops gallium nitride (gan) fets for high-voltage power conversion applications.
| Numero di parte | TPH3207WS |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.65V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2197pF @ 400V |
| Vgs (massimo) | ±18V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 32A, 8V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
