transphorm is a global semiconductor company that develops gallium nitride (gan) fets for high-voltage power conversion applications.
| Artikelnummer | TPH3207WS |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.65V @ 700µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2197pF @ 400V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 178W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 32A, 8V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
