제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 MJD122-1

STMicroelectronics MJD122-1

부품 번호
MJD122-1
제조사
STMicroelectronics
기술
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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재고 있음 24000 pcs
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합계:0.47500/pcs Unit Price:
0.47500/pcs
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수량:
제품 매개 변수
부품 번호 MJD122-1
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN - Darlington
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 8A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 100V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
전력 - 최대 20W
빈도 - 전환 -
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급 업체 장치 패키지 TO-251-3
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