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| 부품 번호 | MJD112T4G |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 2A |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 100V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 20µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| 전력 - 최대 | 1.75W |
| 빈도 - 전환 | 25MHz |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급 업체 장치 패키지 | DPAK-3 |
