Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln MJD122-1

STMicroelectronics MJD122-1

Artikelnummer
MJD122-1
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    0.47500/pcs
  • 10 pcs

    0.41600/pcs
  • 100 pcs

    0.31880/pcs
  • 500 pcs

    0.25200/pcs
  • 1,000 pcs

    0.20160/pcs
Gesamt:0.47500/pcs Unit Price:
0.47500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer MJD122-1
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 8A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Leistung max 20W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Lieferantengerätepaket TO-251-3
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