provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| 부품 번호 | APTM120H29FG |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 34A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 348 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 5mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 374nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 10300pF @ 25V |
| 전력 - 최대 | 780W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SP6 |
