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| Artikelnummer | APTM120H29FG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 34A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 348 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 374nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
| Leistung max | 780W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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