Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array APTM120H29FG

Microsemi Corporation APTM120H29FG

Numero di parte
APTM120H29FG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 22 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    148.22500/pcs

  • 10 pcs

    141.06950/pcs

  • 25 pcs

    135.95840/pcs
Totale:148.22500/pcsUnit Price:
148.22500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPTM120H29FG
Stato parteActive
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs374nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10300pF @ 25V
Potenza - Max780W
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6
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