집 제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF 2A8

Microsemi Corporation 2A8

부품 번호
2A8
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55EU2
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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제품 매개 변수
부품 번호2A8
부품 상태Active
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)21V
빈도 - 전환2GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f)-
이득7dB ~ 9dB
전력 - 최대5.3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 100mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)300mA
작동 온도150°C (TJ)
실장 형Chassis Mount
패키지 / 케이스55EU
공급 업체 장치 패키지55EU
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