Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 2A8

Microsemi Corporation 2A8

Numero di parte
2A8
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55EU2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 231 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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  • 50 pcs

    57.73980/pcs
Totale:57.73980/pcsUnit Price:
57.73980/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte2A8
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)21V
Frequenza - Transizione2GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7dB ~ 9dB
Potenza - Max5.3W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 100mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)300mA
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / caso55EU
Pacchetto dispositivo fornitore55EU
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