epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| 부품 번호 | EPC2108 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V, 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A, 500mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| 전력 - 최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 9-VFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 9-BGA (1.35x1.35) |
