ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ EPC2108

EPC EPC2108

部品番号
EPC2108
メーカー
EPC
説明
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
EPC

EPC

epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.

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製品パラメータ
部品番号 EPC2108
部品ステータス Active
FETタイプ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V, 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.7A, 500mA
Rds On（Max）@ Id、Vgs 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 9-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 9-BGA (1.35x1.35)
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