Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array EPC2108

EPC EPC2108

Numero di parte
EPC2108
fabbricante
EPC
Descrizione
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
EPC

EPC

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Numero di parteEPC2108
Stato parteActive
Tipo FET3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FETGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V, 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potenza - Max-
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso9-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore9-BGA (1.35x1.35)
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