ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル TK35N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F

部品番号
TK35N65W,S1F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    3.93500/pcs
  • 30 pcs

    3.22466/pcs
  • 120 pcs

    2.91004/pcs
  • 510 pcs

    2.43815/pcs
  • 1,020 pcs

    2.12355/pcs
合計:3.93500/pcs Unit Price:
3.93500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 TK35N65W,S1F
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 35A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 2.1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 100nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4100pF @ 300V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 270W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 80 mOhm @ 17.5A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3
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