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| Artikelnummer | TK35N65W,S1F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 270W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
Auf Lager: 82
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Auf Lager: 190
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Auf Lager: 90
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Auf Lager: 0
