Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F

Numero di parte: TK35N65W,S1F
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 225 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
3.93500/pcs
30 pcs
3.22466/pcs
120 pcs
2.91004/pcs
510 pcs
2.43815/pcs
1,020 pcs
2.12355/pcs

Totale:3.93500/pcs

Unit Price:

3.93500/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	TK35N65W,S1F
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 2.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 17.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3