vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.
| Numero di parte | SI4808DY-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Disponibile: 3330
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Disponibile: 0
