vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.
| Numéro d'article | SI4808DY-T1-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1.1W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
En stock: 3330
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
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