Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays SI4808DY-T1-E3

Vishay Siliconix SI4808DY-T1-E3

Número da peça
SI4808DY-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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0.45293/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça SI4808DY-T1-E3
Status da Parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 1.1W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
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