transphorm is a global semiconductor company that develops gallium nitride (gan) fets for high-voltage power conversion applications.
| Numero di parte | TPH3206LXB |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
fabbricante: Transphorm
Descrizione: GAN FET 650V 36A TO247
Disponibile: 562
fabbricante: Transphorm
Descrizione: GAN FET 650V 35A TO247
Disponibile: 1077
fabbricante: Transphorm
Descrizione: MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
Disponibile: 233
fabbricante: Transphorm
Descrizione: GAN FET 650V 16A PQFN88
Disponibile: 220
