transphorm is a global semiconductor company that develops gallium nitride (gan) fets for high-voltage power conversion applications.
| Numéro d'article | TPH3206LXB |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | - |
| La technologie | - |
| Drain à la tension de source (Vdss) | - |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Paquet / cas | - |
Fabricant: Transphorm
La description: GAN FET 650V 36A TO247
En stock: 562
Fabricant: Transphorm
La description: GAN FET 650V 35A TO247
En stock: 1077
Fabricant: Transphorm
La description: MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
En stock: 233
Fabricant: Transphorm
La description: GAN FET 650V 16A PQFN88
En stock: 220
