Toshiba Semiconductor and Storage RN1312(TE85L,F)

Numero di parte: RN1312(TE85L,F)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 7500 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.02415/pcs
3,000 pcs
0.02415/pcs
6,000 pcs
0.02100/pcs
15,000 pcs
0.01785/pcs
30,000 pcs
0.01680/pcs
75,000 pcs
0.01575/pcs
150,000 pcs
0.01400/pcs

Totale:0.02415/pcs

Unit Price:

0.02415/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	RN1312(TE85L,F)
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistore - Base (R1) (Ohm)	22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm)	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	150mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore	USM