Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati RN1310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F)

Numero di parte
RN1310(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto
Numero di parte RN1310(TE85L,F)
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore USM
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