Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung RN1310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F)

Artikelnummer
RN1310(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktparameter
Artikelnummer RN1310(TE85L,F)
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket USM
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