Toshiba Semiconductor and Storage RN1312(TE85L,F)

Número da peça: RN1312(TE85L,F)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso

Toshiba Semiconductor and Storage

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30,000 pcs
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75,000 pcs
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Parâmetro do produto

Número da peça	RN1312(TE85L,F)
Status da Parte	Active
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequência - Transição	250MHz
Power - Max	150mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SC-70, SOT-323
Pacote de dispositivos de fornecedores	USM