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| Numero di parte | CSD17313Q2T |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3V, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | +10V, -8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 17W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4A, 8V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WSON (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
fabbricante: Tripp Lite
Descrizione: 10-DEVICE DESKTOP USB CHARGING S
Disponibile: 0
fabbricante: Hoffman Enclosures, Inc.
Descrizione: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Disponibile: 2
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Disponibile: 72000
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Disponibile: 0
