Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln CSD17313Q2T

Texas Instruments CSD17313Q2T

Artikelnummer
CSD17313Q2T
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Texas Instruments

Texas Instruments

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Gesamt:0.23350/pcsUnit Price:
0.23350/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerCSD17313Q2T
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)3V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs2.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds340pF @ 15V
Vgs (Max)+10V, -8V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)2.4W (Ta), 17W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 4A, 8V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-WSON (2x2)
Paket / Fall6-WDFN Exposed Pad
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