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| Artikelnummer | CSD13202Q2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 997pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.7W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WSON (2x2) |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
Hersteller: Tripp Lite
Beschreibung: 10-DEVICE DESKTOP USB CHARGING S
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Hersteller: Hoffman Enclosures, Inc.
Beschreibung: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Auf Lager: 72000
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Auf Lager: 0
