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| Numero di parte | CSD13302W |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DSBGA |
| Pacchetto / caso | 4-UFBGA, DSBGA |
fabbricante: Cree/Wolfspeed
Descrizione: DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2
Disponibile: 0
