STMicroelectronics STP25NM60ND

Numero di parte: STP25NM60ND
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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In stock 2250 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
3.78000/pcs
10 pcs
3.57400/pcs
100 pcs
2.93855/pcs
500 pcs
2.46202/pcs
1,000 pcs
2.14434/pcs

Totale:3.78000/pcs

Unit Price:

3.78000/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	STP25NM60ND
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3