Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STP200N3LL

STMicroelectronics STP200N3LL

Numero di parte
STP200N3LL
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 18839 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.70000/pcs

  • 10 pcs

    0.65650/pcs

  • 100 pcs

    0.51880/pcs

  • 500 pcs

    0.40233/pcs

  • 1,000 pcs

    0.31762/pcs
Totale:0.70000/pcsUnit Price:
0.70000/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTP200N3LL
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)176.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3
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