Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STB4NK60Z-1

STMicroelectronics STB4NK60Z-1

Numero di parte
STB4NK60Z-1
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

In stock 2302 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.90500/pcs
  • 10 pcs

    0.85800/pcs
  • 100 pcs

    0.68930/pcs
  • 500 pcs

    0.53611/pcs
  • 1,000 pcs

    0.44421/pcs
Totale:0.90500/pcsUnit Price:
0.90500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTB4NK60Z-1
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds510pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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