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| Artikelnummer | STB4NK60Z-1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 70W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
Auf Lager: 800
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Auf Lager: 1000
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Auf Lager: 1000
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
Auf Lager: 0
