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| Numero di parte | SID1182K |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tecnologia | Magnetic Coupling |
| Numero di canali | 1 |
| Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
| Immunità transitoria in modalità comune (min) | - |
| Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 340ns, 330ns |
| Distorsione larghezza impulso (max) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 90ns, 81ns |
| Corrente - Uscita alta, bassa | 3.6A, 4A |
| Corrente - Uscita di picco | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Typ) | - |
| Corrente - DC Forward (If) (Max) | - |
| Tensione - Fornitura | 4.75 V ~ 5.25 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width) 15 Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | eSOP-R16B |
| approvazioni | - |
fabbricante: Power Integrations
Descrizione: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
Disponibile: 0
fabbricante: Power Integrations
Descrizione: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
Disponibile: 0
fabbricante: Power Integrations
Descrizione: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
Disponibile: 0
