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| Numero de parte | SID1182K |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tecnología | Magnetic Coupling |
| número de canales | 1 |
| Voltaje - Aislamiento | 5000Vrms |
| Inmunidad transitoria en modo común (Min) | - |
| Retraso de propagación tpLH / tpHL (Max) | 340ns, 330ns |
| Distorsión de ancho de pulso (máximo) | - |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) | 90ns, 81ns |
| Corriente - Salida alta, baja | 3.6A, 4A |
| Actual - Salida máxima | 8A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | - |
| Current - DC Forward (If) (Max) | - |
| Suministro de voltaje | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width) 15 Leads |
| Paquete de dispositivo del proveedor | eSOP-R16B |
| Aprobaciones | - |
Fabricante: Power Integrations
Descripción: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
En stock: 0
Fabricante: Power Integrations
Descripción: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
En stock: 0
Fabricante: Power Integrations
Descripción: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
En stock: 0
